BSP613P
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
BSP613P仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
1.8W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-SOT223-4-21
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.9A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
130mOhm @ 2.9A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
875 pF @ 25 V
