IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPB065N06L G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
消費電力(最大)：
250W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3-2
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
157 nC @ 10 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2V @ 180µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5100 pF @ 30 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
6.2mOhm @ 80A, 10V
