IPB070N06N G
MOSFET N-CHAN D2PAK
IPB070N06N G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 180µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
126 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
4300 pF @ 30 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
6.7mOhm @ 80A, 10V
