IPB09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPB09N03LA G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3-2
消費電力(最大)：
63W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
13 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1642 pF @ 15 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
