IPB80N06S3L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPB80N06S3L-06仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
55 V
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
5V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
Vgs (最大)：
±16V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3-2
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
196 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
136W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
5.6mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.2V @ 80µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
9417 pF @ 25 V
