IPD03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD03N03LB G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
90A (Tc)
消費電力(最大)：
115W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5200 pF @ 15 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO252-3-11
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
40 nC @ 5 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2V @ 70µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3.3mOhm @ 60A, 10V
