IPP06CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
IPP06CNE8N G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
パッケージ・ケース：
TO-220-3
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 180µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO220-3
消費電力(最大)：
214W (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
85 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
6.5mOhm @ 100A, 10V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
138 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
9240 pF @ 40 V
