IPP091N06N G
MOSFET N-CHAN TO-220
IPP091N06N G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
パッケージ・ケース：
TO-220-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO220-3
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
81 nC @ 10 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 130µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2800 pF @ 30 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9.1mOhm @ 80A, 10V
