IPP60R165CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
IPP60R165CPXKSA1仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
21A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO220-3
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
52 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
192W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.5V @ 790µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2000 pF @ 100 V
