IPP60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
IPP60R199CPXKSA1仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
16A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO220-3
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
43 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.5V @ 660µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1520 pF @ 100 V
消費電力(最大)：
139W (Tc)
