IPU09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
IPU09N03LB G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
パッケージ・ケース：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
消費電力(最大)：
58W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO251-3-21
Vgs(th) (最大) @ ID：
2V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
13 nC @ 5 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9.3mOhm @ 50A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1600 pF @ 15 V
