SPB80P06P
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
SPB80P06P仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3-2
消費電力(最大)：
340W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 5.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
173 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5033 pF @ 25 V
