SPD04N80C3BTMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
SPD04N80C3BTMA1仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4A (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
800 V
消費電力(最大)：
63W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO252-3-11
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
570 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.9V @ 240µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
26 nC @ 10 V
