SPN03N60C3
MOSFET N-CH 650V 700MA SOT223-4
SPN03N60C3仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-261-4, TO-261AA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-SOT223-4
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
17 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
1.8W (Ta)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
400 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.4Ohm @ 2A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
700mA (Ta)
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.9V @ 135µA
