SPP20N65C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPP20N65C3HKSA1仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
650 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO220-3-1
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2400 pF @ 25 V
消費電力(最大)：
208W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
114 nC @ 10 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.9V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
20.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
190mOhm @ 13.1A, 10V
