SPU02N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
SPU02N60C3BKMA1仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.8A (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
650 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3.9V @ 80µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
12.5 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
200 pF @ 25 V
消費電力(最大)：
25W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO251-3-21
