SPU18P06P
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3
SPU18P06P仕様
取付タイプ：
Through Hole
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 1mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO251-3
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
33 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
18.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
130mOhm @ 13.2A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
860 pF @ 25 V
