HAT2267H-EL-E
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
HAT2267H-EL-E仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
80 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
パッケージ・ケース：
SC-100, SOT-669
サプライヤーデバイスパッケージ：
LFPAK
消費電力(最大)：
25W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
25A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
16mOhm @ 12.5A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2150 pF @ 10 V
