BS108G
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
BS108G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
消費電力(最大)：
350mW (Ta)
パッケージ・ケース：
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
200 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-92 (TO-226)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
250mA (Ta)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
150 pF @ 25 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2V, 2.8V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8Ohm @ 100mA, 2.8V
