BS170G
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
BS170G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
消費電力(最大)：
350mW (Ta)
パッケージ・ケース：
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-92 (TO-226)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
500mA (Ta)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
60 pF @ 10 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 1mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
5Ohm @ 200mA, 10V
