NTB25P06G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
NTB25P06G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ：
D2PAK
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Vgs (最大)：
±15V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1680 pF @ 25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
27.5A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
82mOhm @ 25A, 10V
消費電力(最大)：
120W (Tj)
