NTD12N10-1G
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
NTD12N10-1G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ：
IPAK
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Ta)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
550 pF @ 25 V
消費電力(最大)：
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
165mOhm @ 6A, 10V
