NTD2955G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
NTD2955G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ：
DPAK
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
750 pF @ 25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
180mOhm @ 6A, 10V
消費電力(最大)：
55W (Tj)
