NTD4302-1G
MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A IPAK
NTD4302-1G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ：
IPAK
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
10mOhm @ 20A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2400 pF @ 24 V
消費電力(最大)：
1.04W (Ta), 75W (Tc)
