NTD4815N-1G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
NTD4815N-1G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 250µA
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
パッケージ・ケース：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ：
IPAK
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 11.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
15mOhm @ 30A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6.9A (Ta), 35A (Tc)
消費電力(最大)：
1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
6.6 nC @ 4.5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
770 pF @ 12 V
