NTD60N02R-1G
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
NTD60N02R-1G仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
25 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
IPAK
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
14 nC @ 4.5 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
10.5mOhm @ 20A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1330 pF @ 20 V
消費電力(最大)：
1.25W (Ta), 58W (Tc)
