NTHD3100CT3G
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
NTHD3100CT3G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
8-SMD, Flat Lead
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
構成：
N and P-Channel
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.2V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
パワー - 最大：
1.1W
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
2.3nC @ 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.9A, 3.2A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
165pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
ChipFET™
