NTHD3101FT3G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
NTHD3101FT3G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
消費電力(最大)：
1.1W (Ta)
FETの特徴：
Schottky Diode (Isolated)
サプライヤーデバイスパッケージ：
ChipFET™
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
680 pF @ 10 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
7.4 nC @ 4.5 V
パッケージ・ケース：
8-SMD, Flat Leads
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.2A (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
80mOhm @ 3.2A, 4.5V
