NTHD4P02FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
NTHD4P02FT1G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
8-SMD, Flat Lead
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±12V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
6 nC @ 4.5 V
FETの特徴：
Schottky Diode (Isolated)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
300 pF @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
ChipFET™
消費電力(最大)：
1.1W (Tj)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.2A (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
