NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
NTLJD3115PT1G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
6-WDFN Exposed Pad
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
構成：
2 P-Channel (Dual)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.3A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
100mOhm @ 2A, 4.5V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
6.2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
531pF @ 10V
パワー - 最大：
710mW
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-WDFN (2x2)
