NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NTLJS3113PT1G仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
6-WDFN Exposed Pad
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 250µA
消費電力(最大)：
700mW (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3.5A (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-WDFN (2x2)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
40mOhm @ 3A, 4.5V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
15.7 nC @ 4.5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1329 pF @ 16 V
