NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMD6P02R2SG仕様
取付タイプ：
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SOIC
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.2V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
構成：
2 P-Channel (Dual)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4.8A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
35nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1700pF @ 16V
パワー - 最大：
750mW
