APT9F100B
MOSFET N-CH 1000V 9A TO247
APT9F100B仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大)：
±30V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1000 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
パッケージ・ケース：
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-247 [B]
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
5V @ 1mA
消費電力(最大)：
337W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.6Ohm @ 5A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
2606 pF @ 25 V
