FDB8832
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
FDB8832仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263 (D2PAK)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
消費電力(最大)：
300W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
11400 pF @ 15 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.9mOhm @ 80A, 10V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
265 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
34A (Ta), 80A (Tc)
