FQB9N50CFTM
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
FQB9N50CFTM仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大)：
±30V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263 (D2PAK)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9A (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
500 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
35 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1030 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
850mOhm @ 4.5A, 10V
消費電力(最大)：
173W (Tc)
