STS9D8NH3LL
MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
STS9D8NH3LL仕様
取付タイプ：
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SOIC
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
動作温度：
150°C (TJ)
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30V
構成：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 250µA
パワー - 最大：
2W
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
10nC @ 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
22mOhm @ 4A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
8A, 9A
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
857pF @ 25V
