IPD040N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPD040N03LGATMA1仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.2V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
消費電力(最大)：
79W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
90A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
38 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO252-3-11
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4mOhm @ 30A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
3900 pF @ 15 V
