BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
BSC016N03LSGATMA1仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.2V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
131 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
2.5W (Ta), 125W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TDSON-8-1
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.6mOhm @ 30A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
32A (Ta), 100A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
10000 pF @ 15 V
