IXFB82N60P
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
部品番号：
IXFB82N60P
代替モデル：
IXFB82N60Q3
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
RoHS の：
YES
IXFB82N60P 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大)：
±30V
消費電力(最大)：
1250W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PLUS264™
パッケージ・ケース：
TO-264-3, TO-264AA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
240 nC @ 10 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
5V @ 8mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
82A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
23000 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
75mOhm @ 41A, 10V
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