SI1958DH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
部品番号：
SI1958DH-T1-E3
代替モデル：
SI1902CDL-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
RoHS の：
YES
SI1958DH-T1-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ：
SC-70-6
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
3.8nC @ 10V
パワー - 最大：
1.25W
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.3A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
205mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.6V @ 250µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
105pF @ 10V
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