SI7686DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
部品番号：
SI7686DP-T1-E3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
RoHS の：
YES
SI7686DP-T1-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SO-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SO-8
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
35A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
26 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1220 pF @ 15 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9.5mOhm @ 13.8A, 10V
消費電力(最大)：
5W (Ta), 37.9W (Tc)
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