IRF7862TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
部品番号：
IRF7862TRPBF
代替モデル：
SI4126DY-T1-GE3 , IRF8788TRPBF , IRF7424TRPBF , MP5087GG-Z , IRF7831TRPBF , IRF9310TRPBF , IRF7855TRPBF , NTR4101PT1G , GP2S+ , ROB-09107 , 1053121106 , IRF7316TRPBF , NTS4001NT1G , IRF540NSTRLPBF , MMSD4148T1G , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED24427N01FXUMA1 , IRS2007STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , ROB-09107
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
RoHS の：
YES
IRF7862TRPBF 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SO
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
消費電力(最大)：
2.5W (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.35V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
45 nC @ 4.5 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
21A (Ta)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
4090 pF @ 15 V
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