SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
部品番号:
SI7812DN-T1-GE3
代替モデル:
SI7812DN-T1-E3  ,  BLM31KN121SN1L  ,  MMBT3906SL  ,  SMDJ30CA  ,  SI7153DN-T1-GE3  ,  SI2387DS-T1-GE3  ,  PI3424-00-LGIZ  ,  SISA14DN-T1-GE3  ,  VLMO1500-GS08  ,  MQPI-18LP-01  ,  LTM8024IY#PBF  ,  SQJ401EP-T2_GE3  ,  IPG20N10S4L22ATMA1  ,  SIS782DN-T1-GE3  ,  0448004.MR
製造元:
Vishay / Siliconix
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
RoHS の:
YES
SI7812DN-T1-GE3 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
4.5V, 10V
Vgs (最大):
±20V
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID:
3V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
75 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ:
PowerPAK® 1212-8
パッケージ・ケース:
PowerPAK® 1212-8
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
16A (Tc)
消費電力(最大):
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
37mOhm @ 7.2A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
840 pF @ 35 V
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標準包装数量:52392
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