SIA432DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
部品番号：
SIA432DJ-T1-GE3
代替モデル：
EPCQ16ASI8N , SN65LVDS3487D , SML-020MLTT86 , SI7818DN-T1-GE3 , SIA462DJ-T1-GE3 , MPM3805GQB-Z , 1N4148WT-7 , DAC8411IDCKT , MMZ1608S800ATA00 , FDM3622 , AD602ARZ , SIA400EDJ-T1-GE3 , SIA468DJ-T1-GE3 , IS181GB , ADG1401BRMZ
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
RoHS の：
YES
SIA432DJ-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SC-70-6
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
20mOhm @ 6A, 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SC-70-6
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
800 pF @ 15 V
消費電力(最大)：
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
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