SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
部品番号：
SIA456DJ-T1-GE3
代替モデル：
NCV7520MWTXG , SI4090DY-T1-GE3 , SIA446DJ-T1-GE3 , NRVTSA4100T3G , TPN2010FNH , L1Q , SI4056DY-T1-GE3 , SIS892DN-T1-GE3 , SIB456DK-T1-GE3 , V2P6-M3/H , ADUM7441CRQZ-RL7 , SI4816BDY-T1-GE3 , XLUGR34M , SISB46DN-T1-GE3 , MBR1H100SFT3G , SI7818DN-T1-E3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
RoHS の：
YES
SIA456DJ-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.8V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
200 V
Vgs (最大)：
±16V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.6A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SC-70-6
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
14.5 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SC-70-6
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
350 pF @ 100 V
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