FDP22N50N
MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
FDP22N50N 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
Vgs (最大)：
±30V
Vgs(th) (最大) @ ID：
5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-220-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
22A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
65 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
500 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
3200 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
220mOhm @ 11A, 10V
消費電力(最大)：
312.5W (Tc)
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：1823
数量
単価
国際価格
1
4.05
4.05
50
3.21
160.5
100
2.75
275
500
2.44
1220
1000
2.09
2090
2000
1.97
3940
5000
1.89
9450
ヒント：次の表に記入してください。できるだけ早く連絡します。
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