GT10J312(Q)
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
部品番号：
GT10J312(Q)
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
説明：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
RoHS の：
NO
GT10J312(Q) 仕様
取付タイプ：
Through Hole
パワー - 最大：
60 W
動作温度：
150°C (TJ)
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)：
600 V
入力方式：
Standard
逆回復時間 (trr)：
200 ns
パッケージ・ケース：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
電流 - コレクタ (Ic) (最大)：
10 A
電流 - コレクタパルス (Icm)：
20 A
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic：
2.7V @ 15V, 10A
Td (オン/オフ) @ 25°C：
400ns/400ns
試験条件：
300V, 10A, 100Ohm, 15V
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