GT60N321(Q)
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
部品番号：
GT60N321(Q)
製造元：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
説明：
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
RoHS の：
NO
GT60N321(Q) 仕様
取付タイプ：
Through Hole
動作温度：
150°C (TJ)
入力方式：
Standard
逆回復時間 (trr)：
2.5 µs
電流 - コレクタ (Ic) (最大)：
60 A
電流 - コレクタパルス (Icm)：
120 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)：
1000 V
パワー - 最大：
170 W
パッケージ・ケース：
TO-3PL
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-3P(LH)
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic：
2.8V @ 15V, 60A
Td (オン/オフ) @ 25°C：
330ns/700ns
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