GT30J121(Q)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
部品番号:
GT30J121(Q)
製造元:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
説明:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
RoHS の:
YES
GT30J121(Q) 仕様
取付タイプ:
Through Hole
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大):
600 V
パッケージ・ケース:
TO-3P-3, SC-65-3
入力方式:
Standard
電流 - コレクタパルス (Icm):
60 A
電流 - コレクタ (Ic) (最大):
30 A
サプライヤーデバイスパッケージ:
TO-3P(N)
パワー - 最大:
170 W
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic:
2.45V @ 15V, 30A
Td (オン/オフ) @ 25°C:
90ns/300ns
スイッチングエネルギー:
1mJ (on), 800µJ (off)
試験条件:
300V, 30A, 24Ohm, 15V
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メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:1657
数量
単価
国際価格
1
3.6
3.6
10
3.01
30.1
25
2.85
71.25
100
2.44
244
300
2.3
690
500
2.17
1085
1000
1.86
1860
2400
1.75
4200
4900
1.68
8232
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