TT8J21TR
MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 8TSST
TT8J21TR 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
動作温度：
150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-SMD, Flat Lead
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.5A
構成：
2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 1mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-TSST
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
12nC @ 4.5V
パワー - 最大：
650mW
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
68mOhm @ 2.5A, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1270pF @ 10V
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